PowerPAK 8x8L封装的紧凑n通道mosfet具有Bond无线结构和鸥翼引线，提高了板级可靠性

Vishay Intertechnology推出了新型60VSiJH600E和80 vSiJH800En通道沟槽fet mosfet结合超低导通电阻和高温工作至+175°C，提高通信和工业应用中的功率密度、效率和板级可靠性。这些mosfet具有高连续漏电流处理和节省空间的PowerPAK 8x8L封装，通过其结合无线结构和用于机械应力缓解的gulwing引线，提高了板级可靠性。

这些设备为电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具应用中的同步整流提供了坚固性和可靠性。为了增加功率密度，SiJH600E和SiJH800E mosfet提供了373A和288A的连续漏极电流和0.65mΩ和1.22mΩ典型的10V下的超低导通电阻。

特性

• 沟槽场效应晶体管第四代功率场效应晶体管

• 全无铅(Pb)设备

• 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比降低了开关相关的功率损耗

• 占地面积比D2PAK (TO-263)小50%

• 100%的Rg和ui测试

应用程序

• 同步整流

• 和ing

• 电机驱动控制

• 电池管理

• 电力供应