集成功率MOSFET和退磁二极管的新型电磁蜂鸣器驱动控制IC
MORNSUN公司推出了一款新型的低成本驱动控制器SCM3560A，用于电磁蜂鸣器，内置功率MOSFET和消磁二极管。该芯片可应用于SMD，也可用于无源蜂鸣器或替代有源蜂鸣器离散器件。
功率场效应晶体管
用于电动汽车基础设施和工业应用的最新一代碳化硅功率器件
意法半导体推出了第三代STPOWER碳化硅(SiC) mosfet，利用了新的第三属
具有屏蔽门技术的新型80V功率MOSFET，为电信和服务器电源提供更高的开关频率而优化
Alpha和Omega半导体有限公司发布了带有专利屏蔽门技术的80V功率MOSFET，该技术针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化。
FQP30N60L n通道功率MOSFET
FQP30N60L是一种n通道功率MOSFET，具有中等的载流能力和高漏源击穿电压。
高转换效率的n通道增强模式TOLL mosfet设计用于电动汽车应用和电源管理
二极管公司推出了一系列汽车mosfet，包括100v级DMTH10H1M7STLWQ和
IRLZ34N n沟道功率MOSFET
n沟道大功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)被广泛用于从微控制器驱动更高的电压和电流。
用于工厂自动化设备和工业应用的新型40V/60V双功率mosfet低ON电阻
ROHM半导体公司推出了其第六代Nch+Pch mosfet，可提供24V输入所需的±40V/±60V耐压，是驱动基站(冷却风扇)电机和工业应用(如工厂自动化设备)的理想选择。
新型MDmesh K6 800V功率mosfet将LED驱动器和HID灯中的系统功率损耗降至最低
意法半导体推出了新的超结800V STPOWER MDmesh K6系列，提高了几个关键参数
IRFP460 n通道功率MOSFET
IRFP460是Vishay公司的n通道功率MOSFET，旨在提供低导通电阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有500V漏源击穿的高电压器件，带有TO-247封装。
P55NF06 n通道功率MOSFET
P55NF06是一个n沟道MOSFET具有高漏极电流50A和低Rds值18 mΩ。它也有一个20V的VGS的MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。
Laird Connectivity的Gar和Barracuda产品提供可靠性、耐久性和性能
B5L ToF(飞行时间)传感器利用光的飞行时间来测量物体的距离。
3M的界面垫采用了薄而坚固的丙烯酸层，便于搬运
利特保险丝的电池管理系统保险丝具有广泛的工作温度范围
WR-FFC系列预折叠扁软电缆结构紧凑、轻薄，节省空间
Murata的小型传感器是理想的人，对象，手势检测和距离测量
TDK提供非常小的TVS二极管，用于高效的ESD保护
安费诺高级传感器的红外传感器用于非接触式表面温度测量
