新的三芯片充电器解决方案可减小USB Type-C PD系统的尺寸并提高其性能
Diode Incorporated推出了一款三芯片解决方案，可用于多种消费电子产品应用，包括智能手机充电器和笔记本电脑适配器。
MOSFET
IRLZ34N N沟道功率MOSFET
N沟道大功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）用于从微控制器驱动更高的电压和电流。
用于工厂自动化设备和工业应用的新型40V/60V低导通电阻双功率MOSFET
ROHM Semiconductor已推出其第6代Nch+Pch MOSFET，可提供24V输入所需的±40V/±60V耐受电压，是基站（冷却风扇）和工厂自动化设备等工业应用中驱动电机的理想选择。
新型MDmesh K6 800V功率MOSFET可将LED驱动器和HID灯的系统功率损耗降至最低
意法半导体公司推出了一种新的超级结800V STPOWER MDmesh K6系列，该系列增强了
电隔离4A-SiC栅极驱动器增强了能量敏感电力系统的鲁棒性和可靠性
STMicroelectronics推出了单通道栅极驱动器STGAP2SiCSN，该驱动器采用节省空间的窄体SO-8封装，是可选的
IRFP460 N沟道功率MOSFET
IRFP460是Vishay的N沟道功率MOSFET，旨在提供低导通电阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有500V漏源击穿的高压设备，采用TO-247封装。
用于碳化硅MOSFET的具有增强开关技术的AgileSwitch数字门驱动器
Microchip Technology Inc.宣布推出一款新的1200V可生产的数字门驱动器，以补充其广泛的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合。
P55NF06 N沟道功率MOSFET
P55NF06是一种N沟道MOSFET，具有50A的高漏电流和18M的低Rds值Ω. 它还有一个20V的VG，在该VG下MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。
新的第4代SiC FET提供了电路稳健性，并实现了更高水平的设计灵活性
UnitedSiC已宣布推出新的6欧姆、750V第4代SiC场效应晶体管，该器件具有强大的短路能力，其RDS（on）值不到最接近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
光隔离负载偏置栅极驱动器提高了外部MOSFET启动速度，无需外部电源
Littelfuse，Inc.宣布了一种高压光隔离MOSFET栅极，该栅极不需要外部电源，可以提供数十微秒左右的快速负载开启速度。
Adam Tech线对板解决方案包括标准连接器、电源连接器、锁定和锁定连接器。
ADA4570是一款AMR传感器，配备集成信号调节放大器和ADC驱动器
TDK的微型ACT1210D共模扼流圈是为汽车CAN-FD设计的
STM32F2 MCU采用先进的90纳米NVM工艺技术和自适应实时内存加速器
WR-FFC系列预折叠扁平软电缆紧凑、薄、轻，节省空间
村田的小型传感器是人体、物体、手势检测和距离测量的理想选择
TDK Lambda的i7C DC/DC转换器具有9.6 V至48 V的宽输出调节范围
PLC推入式技术耦合继电器易于快速连接，无需专用工具
