PowerPAK 8x8L封装的紧凑n通道mosfet具有Bond无线结构和鸥翼引线，提高了板级可靠性
Vishay Intertechnology推出了新型60V SiJH600E和80V SiJH800E n通道沟槽型场效应晶体管
N沟道MOSFET
新一代MOTIX单半桥集成电路，低通径电阻，专为电机驱动应用而设计
英飞凌科技日前推出了一款新型MOTIX BTN99xx (NovalithIC+)，该产品包含一个p-ch
FQP30N60L n通道功率MOSFET
FQP30N60L是一种n通道功率MOSFET，具有中等的载流能力和高漏源击穿电压。
高转换效率的n通道增强模式TOLL mosfet设计用于电动汽车应用和电源管理
二极管公司推出了一系列汽车mosfet，包括100v级DMTH10H1M7STLWQ和
IRLZ34N n沟道功率MOSFET
n沟道大功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)被广泛用于从微控制器驱动更高的电压和电流。
新型MDmesh K6 800V功率mosfet将LED驱动器和HID灯中的系统功率损耗降至最低
意法半导体推出了新的超结800V STPOWER MDmesh K6系列，提高了几个关键参数
IRFP460 n通道功率MOSFET
IRFP460是Vishay公司的n通道功率MOSFET，旨在提供低导通电阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有500V漏源击穿的高电压器件，带有TO-247封装。
P55NF06 n通道功率MOSFET
P55NF06是一个n沟道MOSFET具有高漏极电流50A和低Rds值18 mΩ。它也有一个20V的VGS的MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。
IRF530 n沟道MOSFET
IRF530是一个n通道MOSFET设计用于高速和高功率应用。它兼容在100 V电压下维持14 A的连续电流。在脉冲模式下，它可以驱动高达56 a的负载。
IRF630 n通道功率MOSFET
IRF630是第三代功率MOSFET，专为需要高速开关的应用而设计。该组件是低通态电阻、低成本和坚固设计的伟大组合。
TDK公司的电感器具有紧凑的外部尺寸和惊人的额定电流
Würth Elektronik WE-STAR-TEC电缆铁氧体安全关键技术
Amphenol RF提供固定长度的FAKRA-to-FAKRA组件，具有流行的RG-58和RG-174电缆。
SF-0603HIA-M/SF-1206HIA-M系列采用了伯恩斯流行的多层陶瓷设计
安费诺的紧凑型ZTP-148SRC1红外传感器提供非接触式表面温度测量。
无需专门工具，PLC插入式耦合继电器可以轻松快速地连接
STM32F2 mcu采用先进的90 nm NVM工艺技术，具有自适应实时内存加速器
Murata的小型传感器是理想的人，对象，手势检测和距离测量
