新型4代SiC fet提供了电路的鲁棒性，并使设计的灵活性达到了新的水平
UnitedSiC公司宣布了新的6mohm, 750V Gen 4 SiC fet，提供了强大的短路，RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争对手的一半。该公司扩展了750V SiC FET系列，增加了9个新的器件/封装选项，额定电压为6、9、11、23、33和44mohms。所有的器件都有TO-247-4L封装，而18、23、33、44和60mohm器件也有TO-247-3L封装。这些SiC fet是具有挑战性的新兴应用的理想选择，包括电动汽车的牵引驱动和板上和板外充电器，以及可再生能源逆变器的单向和双向功率转换的所有阶段，功率因数校正，电信转换器，AC/DC或DC/DC功率转换。
Gen 4 SiC fet是SiC JFET和共封装硅MOSFET的“级联码”，共同提供了宽带隙技术的全部优势——高速、低损耗和高温操作，同时保持简单、稳定和强大的栅驱动器与集成ESD保护。这些器件通过先进的薄片细化技术和银烧结模具附件，减少了从模具到外壳的热阻，在苛刻的应用中，为低模具温升提供最大的功率输出。
该系列产品为设计人员提供了更多的器件选择，使设计更加灵活，在保持设计裕度和电路稳健性的同时实现最佳的成本/效率权衡。此外，新的750V Gen 4 SiC fet的价格从UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等，所有设备都可以从授权经销商获得。
