650V TRENCHSTOP IGBT7在TO-247外壳具有卓越的电磁干扰性能，用于高湿度工业应用
英飞凌科技日前发布了TRENCHSTOP IGBT7技术离散的住房适用于工业电机驱动、功率因数校正、光伏和不间断电源。新的TRENCHSTOP家族投资组合包括额定电流为20a、30a、40a、50a、75a．它可以很容易地用于替换以前的技术和并行。
TRENCHSTOP IGBT7芯片是在一个TO-247 650 V击穿电压．它是在新型微模式沟槽技术的基础上设计的，具有更低的静态损耗。此外，它提供更低的静态损耗和10%的开路电压在同一类电流。
IGBT T7技术有一个极低饱和电压(VCE(坐)）并且和an共包在一起发射器控制7th代(EC7)二极管，它提供了一个正向电压降低150mv (VF)下降并改善了逆复苏的疲软。这个版本的IGBT7提供短路鲁棒性，具有卓越的可控性和卓越的电磁干扰性能，并可以轻松调整，以提供特定的应用dv/dt与开关损耗的最佳比值．设备已成功通过基于电平HV-H3TRB(高压、高湿、高温反向偏置)测试，从而证明在高湿度工业应用中的坚固性。离散650 V TRENCHSTOP IGBT7可在公司页面上获得。
关键特性的TRENCHSTOP IGBT7
- TO-247 650 V击穿电压
- 饱和电压极低(VCE(坐)）
- 包括发射器控制7th代(EC7)二极管
- 额定电流为20a、30a、40a、50a、75a
- 提供低150 mV的正向电压(VF)下跌，并改善了反向复苏的疲软
- 卓越的可控性和卓越的电磁干扰性能
- 提供了dv/dt与开关损耗的最佳比值
请注意:更多的技术资料，请参阅FP50R12W2T7数据表链接在本页的底部TRENCHSTOP IGBT7产品页面。
部分数据表
