650 V冷却混合IGBT，用于卓越的开关频率和DC-DC转换器中的降低开关损耗

英飞凌科技推出了一个650 V Coolsic Hybrid IGBT用于电池充电基础设施的离散包装，储能解决方案，光伏逆变器，不间断电源（UPS）以及服务器和电信交换模式 - 电源（SMPS）的离散包装。结合了关键的好处650 V Trenchstop 5 IGBT技术与单极结构的共包肖特基障静电二极管，新设备提供卓越的开关频率和降低的开关损耗。

冷却的混合IGBT已经设计有具有续流SiC肖特基势垒二极管，其与IGBT一起包装，冷却杂交IGBT，因此它们可以在几乎不变的DV / DT和DI / DT值下以降低的开关损耗操作。与标准硅基溶液相比，冷却杂交IGBT的eon减少了60％和减少eoff的30％。

通过不变的输出功率要求将开关频率提高到40％的开关频率，新的IGBT有一个每个10 kHz开关频率的效率提高0.1％。这卓越的开关频率和降低的开关损耗使设备适用于电池充电基础设施、储能解决方案、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及服务器和电信开关电源(SMPS)中的DC-DC电源转换器和功率因数校正(PFC)。

肖特基势垒二极管的单极性使它们能够更快地切换而不会严重振荡和寄生壁的风险。650 V冷却混合IGBT产品组合可在To-247-3和-247-4 Pin Kelvin发射器包中购买。

650 V冷却混合IGBT的功能

• 由于Trenchstop 5和Coolsic Diod Technology的组合，超低开关损耗
• 非常低的州损失
• 硬开关拓扑中的基准开关效率
• 根据JEDEC为目标应用程序的资格
• 无铅铅电镀;符合rohs
• 根据JEDEC 47/20/22的相关测试，合格于工业应用

注意：可以在其中找到更多技术信息IKW75N65RH5数据表链接在本页底部和底部冷却混合分散产品页面。