FGA15N120 IGBT
的FGA15N120是一种高电压IGBT，集电极对发射极电压为1200V，集电极连续电流为30A。它还具有非常低的集电极-发射极饱和电压1.9V和低开关损耗。
销的描述
密码 |
销的名字 |
描述 |
1 |
门 |
控制IGBT的偏置 |
2 |
集电极 |
电流通过Source流入 |
3. |
发射器 |
电流通过发射器流出 |
特征
- 饱和电压低的高电压IGBT
- 集电极-发射极电压(VCE): 1200V
- 收集器电流（IC）：30A @ 25°C
- 最小栅极阈值电压（VGE）为4.5V
- 最大门限电压(VGE)为8.5V
- 栅极-发射极电压(VGE)为±20V (max)
- 上升时间约20ns，下降时间约100ns。
- 可在To-3P包
笔记：完整的详细信息可以在其中找到FGA15N120 IGBT数据表链接在本页底部。
替代FGA15N120
FGA25N120、TA49123 FGA180N33
FGAxxN120系列igbt
仙童半导体在FGAxxN120系列下有一个高压igbt列表。该系列的所有IGBT都采用了NPT技术，因此它具有非常低的开关损耗和低的饱和电压，使其在低压开关驱动设计中具有相对较高的效率。
这些IGBT的当前等级表示在前缀FGA之后。例如，FGA15N120 IGBT在125°C的额定电流为15A, FGA25N120的额定电流为25A。数字120表示IGBT的集电极-发射极电压为1200V。
FGA15N120 IGBT在哪里使用
FGA15N120是一种高电压IGBT，它可以在25°C的电流容量为30A的情况下切换高电压值为1200V。它可以进一步处理高达45A的高脉冲电流，适用于涉及高电压和开关电流尖峰的应用。
15N120 IGBT具有扩展的雪崩能力，即IGBTS对杂散电感问题免疫。即使收集器发射极电压超过额定电压，由于此属性，它们不会破坏。因此，这些IGBT可用于坚固的开关设计。
像所有的IGBT一样，FGA15N与mosfet相比，也存在低开关速度和高的集电极和发射极压降。因此，如果你的设计需要高效率和更快的开关器件，那么你应该更喜欢mosfet而不是IGBT。在涉及高开关电压和电流的设计中，IGBT是首选。
如何使用FGA15N120
IGBT是MOSFET和BJT的组合，因为我们可以从其销钉中注意到。它在输入侧上的栅极类似于MOSFET和集电极和输出端上的发射器类似于BJT。这表明IGBT简单地是与其输出侧的BJT联接的MOSFET，以利用MOFET和BJT的优点。
类似于IGBT中的MOSFET，栅极引脚必须被触发与最小栅极电压关闭开关。在FGA15N120中，栅极饱和电压最小值为4.5V，但通常在设计中使用5V，所需的栅极触发电压可以通过需要切换的集电极发射极电压和集电极电流来计算，使用数据表中的图表如下图所示
一旦栅极被触发，即使在类似于MOSFET时移除触发电压，IGBT也将保持开启。这是因为IGBT的输入栅极销上存在的栅极电容。要关闭设备，必须通过简单地将IGBT的栅极引脚连接到地面来放电栅极电容。由于这通常，由于10K的下拉电阻或类似IR2104，因此使用IGBT的栅极销连接到地。
当IGBT用于开关电路时，应注意不要用于高频设计，因为IGBT的集电极-发射极压降(开关损耗)随着开关频率的增加而增加。同样的图表可以在数据表中找到。
应用程序
- 高压，高电流开关设计
- 感应加热
- 微波炉
- 大型螺线管
- 特斯拉线圈
- 转换器或逆变器电路
组件的2D模型
如果您正在用该组件设计PCB或Perf板，那么以下来自fga15n120_datasheet(数据表)的图片将有助于了解其封装类型和尺寸。
