FGA25N120 IGBT

的FGA25N120是高压大电流吗IGBT采用NPT沟槽技术。IGBT可切换1200V，额定电流高达50A。它还具有2V的极低栅极饱和电压，允许它用于低压驱动侧设计。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	门	控制IGBT的偏置
2	收集器	电流通过源流入
3.	发射器	电流通过发射器流出

特性

• 高电压低饱和电压的大电流IGBT
• 集电极-发射极电压(VCE): 1200V
• 集电极电流(IC): 50A @25°C
• 最小栅极阈值电压(VGE)为3.5V
• 最大门限电压(VGE)为7.5V
• 栅极-发射极电压为(VGE)±20V (max)
• 上升时间约为60ns，下降时间约为100ns。
• To-3P包可用

注意:完整的细节可以在本页底部链接的FGA25N120 IGBT数据表中找到。

替代FGA25N120

FGA15N120、TA49123 FGA180N33

在哪里使用FGA25N120 IGBT?

的FGA25N120是一种高压大电流IGBT，可在25°C下切换高达1200V、50A电流的高电压值。它可以进一步处理高达90A的高脉冲电流，适用于涉及高电压和开关电流尖峰的应用。

由于IGBT采用了NPT (Non - Punch Though)技术，具有极低的开关损耗和较低的饱和电压，使其可用于低压开关驱动设计，并获得较高的开关范围效率。和所有IGBT一样，与mosfet相比，FGA25N在集电极和发射极之间也受到低开关速度和高电压降的困扰。所以如果你的设计需要高效率和更快的开关设备，那么你应该选择mosfet而不是IGBT。在涉及高开关电压和电流的设计中，IGBT是首选。

如何使用FGA25N120?

IGBT是MOSFET和BJT的组合，我们可以从它的引脚输出注意到。它在输入端有栅，类似于MOSFET，在输出端有集电极和发射极，类似于BJT。这表明，IGBT是一个简单的MOSFET与BJT耦合在其输出端，利用MOFET和BJT的优点。

类似于MOSFET，在IGBT中栅极引脚也必须用最小栅极电压触发以关闭开关。在FGA25N120中，最小栅极饱和电压是2V，但通常在设计中使用5V，所需的栅极触发电压可以通过必须切换的集电极-发射极电压和集电极电流来计算，使用如下表所示的图表

一旦栅极被触发，IGBT将保持开，即使触发电压被移除后，类似于MOSFET。这是因为IGBT的输入栅极引脚上存在栅极电容。为了关闭器件，必须通过简单地将IGBT的栅极引脚连接到地来释放栅极电容。因此，IGBT的栅极引脚通常通过一个10k的下拉电阻或使用像IR2104这样的栅极驱动IC连接到地。

当IGBT用于开关电路时，应注意不要用于高频设计，因为IGBT的集电极-发射极压降(开关损耗)随着开关频率的增加而增加。同样的图表可以在数据表中找到。

应用程序

• 高压、大电流开关装置
• 感应加热
• 微波炉
• 大型螺线管
• 特斯拉线圈
• 转换器或逆变电路

组件的2D模型

如果您正在使用此组件设计PCB或Perf板，则2N7000数据表中的下图将有助于了解其封装类型和尺寸。