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NTE159M PNP型晶体管

NTE159M是一种通用PNP晶体管,最大增益为300,集电极电流为600mA。它具有较低的集电极饱和电压1V,可用于开关电路和放大电路。

销的配置

密码

销的名字

描述

1

基地

控制晶体管的偏置,用于打开或关闭晶体管

2

收集器

电流通过集电极流入,通常接在负载上

3.

发射器

电流通过发射极排出,通常连接到地面

特性

  • 通用PNP晶体管
  • 直流电流增益(hFE) 100至300
  • 集电极连续电流(IC)为600mA
  • 集电极-发射极电压(VCE)为60v
  • 集电极-基极电压(VCB)为60V
  • 发射极基极电压(VBE)为5V
  • 可在To-18包

注意:完整的技术细节可以在本页末尾的数据表中找到。

NPN型晶体管互补:NTE123A

相当于PNP型晶体管:2 n2907KST2907 (SMD)

其他PNP晶体管:BC157 BC556,2 n3906, 2sa1943, bd140, s8550, tip127, tip42

NTE159M在哪里使用

NTE159M是一种通用PNP晶体管,可在TO-18封装。晶体管有其互补的NPN版本称为NTE123A,两者的数据表可以在下面找到。由于它们形成互补对,它们可以在需要NPN和PNP晶体管或相同特性的设计中使用。推挽电路、B类放大器、h桥电路是几个需要互补晶体管的例子。

NTE159M集电极饱和电压低1V,可以在高频开关,使其适合于放大器设计。如果您正在寻找这个NTE159M晶体管的替代包,您也可以检查2N2907晶体管,2N2907也可以在标准的TO-92包。

应用程序

  • 通用转换
  • B类放大器设计
  • h桥电路
  • 推挽式电路配置
  • 中速开关
  • 高频放大器

2维模型

二维尺寸将帮助您在制作穿孔板或PCB电路时放置该组件。

NTE159M PNP晶体管二维模型

部分数据表

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