BD136中功率PNP晶体管
BD136引脚配置
PIN码 |
PIN名称 |
描述 |
1 |
发射器 |
电流通过发射器排出,通常连接到地面 |
2 |
集电极 |
电流通过收集器流入,通常连接到负载 |
3. |
基地 |
控制晶体管的偏置,用于打开或关闭晶体管。 |
特征
- 塑料外壳PNP晶体管
- 高直流电流增益(HFE),通常为80 inc = 10ma时
- 集电极连续电流(IC)为1.5A
- 收集器 - 发射极电压(VCE)为45 V
- 集电极基电压(VCB)为45V
- 发射极击穿电压(VBE)是5V
- 直流电流增益(HFE)为40至250
- 可在To-225包
笔记:可以找到完整的技术细节BD136晶体管数据表在本页结束时给出。
BD136等效晶体管
BD135
其他PNP晶体管
BC157,BC556.那2 n3906那2 sa1943BD140,S8550.,tip127,tip42
BD136晶体管的简要说明
BD136是A.PNP晶体管因此,当基销保持在地面时,收集器和发射器将被关闭(向前偏置)并且当向基本销提供信号时将被打开(反向偏置)。这是PNP晶体管与NPN晶体管不同的情况下,如果您正在寻找等效的NPN型检查BD135晶体管。
BD136有一个获得价值在40至250中,该值确定晶体管的放大容量。可以通过收集器引脚流过的最大电流量为1.5A,因此我们无法使用该晶体管将负载连接超过1.5A的负载。为了偏置晶体管,我们必须向基本引脚提供电流,该电流(IB)应限制为5mA,基础发射器引脚上的电压应为5V。
当该晶体管完全偏置时,它可以允许最多1.5A流过集电体和发射器。该阶段称为饱和区域,并且集电器 - 发射器(VCE)或碱基发射器(VBE)允许的典型电压分别可以是45V和45V。当移除基极电流时,晶体管变得完全关闭,该阶段称为截止区域,基本发射极电压可能约为500 mV。
在哪里使用BD136晶体管
这BD136是中等权力PNP晶体管。它可用于控制重负荷,因为它具有1.5A的高集电器电流值。关于该晶体管的另一个特殊事实是它采用塑料封装,而大多数中型功率晶体管仅可用于金属罐包装。这降低了晶体管的成本,并且由于包装不导电,因此电路中的其他噪声不会影响。由于此功能,该晶体管广泛用于放大器应用中。
所以,如果你正在寻找中型力量PNP晶体管如果是塑料包装的话,那么这个晶体管可能是您的正确选择。
应用程序
- 开关电路
- 放大电路
- 音频放大器
- 负载驱动器电路