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罗门哈斯

厚膜并联电阻
厚膜并联电阻

LTR100L系列:新型厚膜分流电阻,额定功率4W,设计用于工业和消费应用

ROHM推出了新的厚膜分流电阻LTR100L系列
RLD90QZW3红外高光输出激光器
RLD90QZW3红外高光输出激光器

用于远距离测量和空间识别的75W红外高光输出激光二极管

ROHM公司推出了一款75W红外高光输出激光二极管RLD90QZW3,专为激光雷达设计,用于距离测量和空间识别
SerDes ic和PMIC
SerDes ic和PMIC

新的SerDes ic和PMIC降低了汽车卫星相机模块的电磁干扰和功耗

ROHM开发了新的SerDes ic (BU18xMxx-C系列)和PMIC (BD86852MUF-C)用于车载卫星相机模块
CMOS运算放大器系列
CMOS运算放大器系列

新型CMOS运算放大器系列提高了异常检测系统的可靠性并减少了设计资源

ROHM推出了新的BD8758xY系列轨对轨输入/输出高速CMOS运算放大器,其特点是提高EMI抗干扰能力和低输入偏置电流。
RGWxx65C混合igbt系列
RGWxx65C混合igbt系列

RGWxx65C混合igbt系列,内置SiC二极管,用于汽车充电器和UPS

ROHM半导体发布RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR,
BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路
BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路

内置1700V SiC MOSFET的BM2SC12xFP2-LBZ功率芯片,用于减少组件数量和上市时间

为了在单个表面安装的TO263 7L封装中实现更高的效率和增加输出功率,ROHM宣布了集成了1700V SiC MOSFET的BM2SC12xFP2-LBZ功率ic。
150V GaN HEMT器件
150V GaN HEMT器件

工业和通信设备电源电路用具有8V栅击穿电压的150V GaN HEMT器件

ROHM引入了最高(8V)栅击穿电压(额定栅源电压)技术,用于150V GaN HEMT器件,优化工业和通信设备的电源电路。
GMR320并联电阻
GMR320并联电阻

小型化的高功率低欧姆芯片GMR320分流电阻准确检测电流在高功率应用

10W额定功率的GMR320系列分流电阻现在可从ROHM高功率应用于汽车,工业设备和家用电器。
BM64374S-VA 600V IGBT智能电源模块
BM64374S-VA 600V IGBT智能电源模块

BM6437x系列600V IGBT智能电源模块,用于降低小型工业设备的功耗和设计负载

ROHM推出了BM6437x系列,包括四个新的600V IGBT智能功率模块(IPMs),可以提供一流的低噪声特性和低损耗的理想逆变器功率转换。
BD34301EKV 32位D/A转换器集成电路
BD34301EKV 32位D/A转换器集成电路

BD34301EKV - 32位D/A转换器,用于高保真音频设备的音质性能

ROHM公司推出了BD34301EKV,这是一种32位D/ a转换IC,用于高保真音频设备,能够高分辨率播放音频源。

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