具有高功率密度的新型汽车级碳化硅肖特基二极管，降低EMI，用于UPS和光伏逆变器
Nexperia通过引入新的高性能家庭扩展了它的宽带隙半导体产品
内奇普里亚
具有TreSOS技术的新型低钳位双向ESD保护装置，用于USB4标准界面和通信系统
Nexperia已宣布两种新的极低夹紧和电容双向静电放电（ESD）保护二极管，容纳在超低电感DSN0603-2（SOD962-2）无侵扰包装中，标准0.6 mm x 0.3 mm占地面积和0.3 mm。
具有增强的SOA性能的新热插拔ASFET最大限度地降低了降级和改进电流共享
Nexperia已宣布新的PSMN4R2-80YSE（80V，4.2MΩ）和PSMN4R8-100YSE（100V，4.8mΩ）
来自MJD系列的新型电源双极晶体管，开关速度快，可靠性高
Nexperia通过九个新的电源双极晶体管扩展了其热和电极的晶体管产品组合
新的DHXQFN套件，标准逻辑设备的占用空间小
Nexperia已宣布用于标准逻辑器件的最小和最低轮廓14,16,20和24针封装。
40V高度可靠的汽车和工业级MOSFET，具有高性能和提高的功率密度
Nexperia在高可靠性LFPAK88封装中引入了新的0.55MΩRDS（ON）40 V功率MOSFET，用于汽车（BUK7S0R5-40H）和工业（PSMNR55-40SSH）应用。
高效100V 20A沟槽肖特基整流器，用于快速切换应用
Nexperia扩展了沟槽肖特基整流器的组合，其中设备额定电量高达100V和20A，用于提供出色的行为和主要的热性能。
650 V GaN FET用于减少形状因子，最大限度地减少80加钛级工业电源的系统成本
Nexperia推出了其第二代650V电源GaN FET器件系列，RDS（开启）性能低至35mΩ（典型）。
汽车合格的高性能4通道ESD保护二极管，用于高速接口
Nexperia推出了PESD4USBX系列，其中包括十二个高性能4通道ESD保护设备。
半桥LFPAK56D MOSFET提供60％的寄生电感，并改善了空间受限的汽车应用的热性能
Nexperia宣布发布了一系列半桥汽车MOSFET（BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H），可提供60％的寄生电感和改善的热性能
莱尔德连接的GAR和Barracuda产品提供可靠性，耐用性和性能
B5L TOF（飞行时间）传感器使用光的飞行时间来测量对象的距离。
3M的界面垫采用薄，坚固的丙烯酸层，可良好的处理
Littelfuse的电池管理系统保险丝具有宽的工作温度范围
WR-FFC系列预折叠平面柔性电缆紧凑，薄，光线省略空间
Murata的小型传感器是人，物体和手势检测和距离测量的理想选择
TDK提供极小的电视二极管，用于高效的ESD保护
Amphenol Advanced Sensors的IR传感器用于非接触表面温度测量
