基于GaN半导体技术的高功率射频和微波PIN二极管用于航空航天和军事应用

Fairview Microwave发布了新的高功率宽带RF和微波PIN二极管系列，采用GaN半导体技术，以确保最先进的功率性能和卓越的功率体积比。设备发送切换速度快，可低至<50秒和展示热性能好，击穿电压高．

提供一个同轴包,这些交换机可用于各种应用，如航空航天和国防、微波无线电、军事和商业通信、VSAT、SATCOM、测试和测量、无线基础设施和光纤应用。这些设备可以在宽带和窄带射频和微波频率上提供容忍更高的输入功率水平。

这些新设备可以覆盖一个从直流到18ghz的宽频率范围反射式SPDT和SP4T PIN二极管设计。这些PIN二极管开关还具有紧凑的同轴封装，冷开关性能可达100瓦连续RF输入功率，以及TTL兼容的驱动电路，实现精确的逻辑控制。

大功率宽带射频和微波PIN二极管系列的特点

• GaN半导体PIN二极管开关技术
• 50欧姆反射设计覆盖从直流到18ghz的宽带频率
• 高射频输入功率处理高达100瓦连续波
• 切换速度一般为50 - 100秒
• 插入损耗:0.9 ~ 1.5 dB典型
• 紧凑和坚固的mil级同轴封装设计与集成TTL兼容驱动程序

注意:更多的技术信息可以在FMSW1100数据表链接在本页底部和产品页上GaN大功率PIN二极管开关产品页面。