电隔离4A SiC栅极驱动器提高了节能电力系统的鲁棒性和可靠性
![电隔离4A SiC门驱动器](/sites/default/files/components/STGAP2SiCSN-SiC-Gate-Driver.jpg)
意法半导体公司推出了一种单通道栅极驱动器STGAP2SiCSN它采用了节省空间的窄体SO-8封装,并优化控制碳化硅mosfet。这种新设备提高了节能电力系统的可靠性,并通过精确的PWM控制提供了鲁棒性能。STGAP2SiCSN栅格驱动器的目标应用包括电动汽车充电系统、开关模式电源、高压功率因数校正(PFC)、DC/DC转换器、不间断电源(UPS)、太阳能、电机驱动、风扇、工厂自动化、家用电器和感应加热。
STGAP2SiCSN栅极驱动器在高压轨道上工作高达1700V,其输入到输出的传播时间小于75ns,确保了高PWM精度。该设备具有栅驱动通道和低压控制之间的电隔离,并可在两种不同的配置。这两种配置都提供了高度的灵活性和减少材料清单的外部组件。此外,集成的自举二极管简化了设计并提高了可靠性,而具有独立输入引脚的关机模式有助于降低系统功耗。
该栅极驱动器可在栅极驱动电压高达26V的情况下吸收和输出高达4A,其内置的保护包括欠压锁定(UVLO),其阈值可调谐,以防止SiC电源开关在低效率或不安全的条件下运行。STGAP2SiCSN逻辑输入兼容TTL和CMOS逻辑,低至3.3V,简化了与主机微控制器或DSP的连接。
特性
高压导轨可达1700V
驱动器电流能力:25°C时,4A汇聚/源
在全温度范围内,dV/dt瞬态免疫度±100V/ns
总的输入输出传播延迟:75ns
独立的接收器和源选项,方便栅极驱动配置
4A Miller CLAMP专用引脚选项
UVLO函数
栅极驱动电压可达26V
3.3V, 5V TTL/CMOS滞后输入
关闭温度保护
备用功能
4.8 kvpk隔离
狭窄的身体SO8
应用程序
家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器
600/1200 V逆变器
电池充电器
感应加热
焊接
联合包裹
电力供应单位
直流-直流转换器
功率因数校正
可用性
STGAP2SiCSNTR门驱动程序现在可以在5mm x 4mm宽的SO-8N包,从1.25美元订购1000个。