G3VM T-Modules:新型高电压和大电流t配置MOSFET继电器模块，具有极低的泄漏电流
欧姆龙电子元件公司发布了其创新的t配置MOSFET继电器模块的新高压和大电流版本。新欧姆龙G3VM T-modules提供了固态继电器特有的可靠性和耐久性，同时泄漏电流极低，仅为1pA或更低。这些欧姆龙t模块有效地结合了机械和MOSFET继电器的优点，提供了精确、紧凑和持久的开关解决方案，没有机械接触。此外，这些设备是表面安装的，在SPST中提供，不需要配置。
新的欧姆龙G3VM-61MT和G3VM-101MT加入了高隔离的G3VM-21MT，负载电流分别为800mA和550mA。这些新设备的电气负载特性为G3VM-61MT为60V, G3VM-101MT为100V。G3VM-21MT具有卓越的隔离性能，在1GHz时小于- 30dB，额定电压为200mA, 20V。这些器件的低泄漏电流是通过一个独特的T电路结构来实现的，该结构将大部分泄漏电流发送到地面。
通过将t电路集成到模块中，这些设备具有5mm × 3.75mm × 2.7mm的紧凑尺寸，并支持所有类型的测试设备的精确测量，其中机械继电器由于其低泄漏电流而首选。
