CoolGaN 600V e-mode HEMT用于电信电源应用，提高效率和可靠性

英飞凌技术已经为CoolGaN提供了电信供电系统的最终效率和可靠性。可在DFN8x8封装，CoolGan 600V e-mode HEMT在Delta的DPR 3000E能量整流器让一个行业领先的能源效率达98%。与一个功率密度为56.8 W/in³，该装置在低能耗的情况下提供高性能。

CoolGaN提供了高效的GaN晶体管技术，可在高达600V的电压范围内进行功率转换。开创性的品质确保高标准和提供最多可靠和执行的解决方案在所有市场上的GaN hemt中。GaN解决方案提供了节能和整体系统成本降低，以及更高的工作频率，提高了功率密度和整体系统效率。

的高频操作200-250kHz以上提供超快的切换速度和非常短的死区时间。CoolGaN e-mode hemt可用于顶部和底部冷却的SMD封装，适用于服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频等工业应用，具有市场上最强大和性能最好的概念。

CoolGaN e-mode HEMT的特点

• 增强模式晶体管-常关开关超快开关
• 没有反向恢复电荷
• 可反向导电
• 低门极电荷，低输出电荷
• 优越的交换强度
• 符合JEDEC标准的标准等级应用

注意:更多的技术信息可以在IGT60R190D1S数据表链接在本页底部和产品页上600V CoolGaN增强型功率晶体管。