FGA25N120ANTD 1200V NPT沟槽IGBT

FGA25N120ANTD销配置

销的名字	描述
G	门，控制晶体管的开关
C	电流通过集电极流入
E	发射极，电流通过发射极流出

特性和规格

• NPT沟槽技术，正温度系数
• 饱和电压低:V_CE(sat)， typ = 2.0V @ I_C= 25A, TC = 25℃
• 低开关损耗:Eoff, typ = 0.96mJ @ I_C= 25A, TC = 25℃
• 极强的雪崩能力
• TO-3PN包

FGA25N120ANTD Alernative

FGA15N120FTD IGBT

FGA25N120ANTD简介

FGA25N120ANTD集电极-发射极电压V_{消费电子产品展}1200 V。栅极-发射极电压为V_全球经济量程±20 V。集电极电流I_C25℃时为50A, 100℃时为25A。脉冲集电极电流I_厘米是90一个。二极管最大正向电流I_调频是150一个。最大功耗P_D25℃时的额定功率为312 W, 100℃时的最大功耗为125 W。

FGA25N120ANTD在哪里使用

FGA25N120ANTD 1200V NPT (non - punch- through) IGBT具有优越的导通和开关性能，高雪崩强度和易于并行操作。FGA25N120ANTD具有更简单的器件开发过程和更低的开关损耗，非常适合于谐振或软开关应用，如感应加热，微波炉。

如何使用FGA25N120ANTD

绝缘栅双极晶体管(IGBT)可以通过激活栅极来开启和关闭。下面的电路显示了通过给IGBT的Gate端子输入LED和电机的开关。

如果我们通过栅极施加电压使栅极更正，IGBT的发射极将保持IGBT的“ON”状态，如果我们使栅极为负或为零推IGBT将保持“OFF”状态。这就像BJT和MOSFET开关一样。

应用程序

• 感应加热

• 微波炉

2维模型和尺寸